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Projet WInSiC4AP

«Wide band gap Innovative SiC for Advanced Power » ou « SiC pour composants de puissance innovants »

Description :

Le projet WInSiC4AP (Wide band gap Innovative SiC for Advanced Power) a pour objectif de développer des composants innovants, fondés sur la technologie Carbure de Silicium (SiC) (composants de puissance, drivers, encapsulation, …), grâce auxquels des percées significatives sont attendues dans le domaine de l’efficacité énergétique et de la densité de puissance. Coordonné par Distretto Tecnologico Sicilia Micro E Nano Sistemi SRL-Italie, le projet WInSiC4AP est un projet collaboratif Européen qui réunit des partenaires en France, Allemagne, Italie, République Tchèque, … qui facilitera la structuration européenne de la filière de l’électronique de puissance, à laquelle la France contribuera au travers des collaborations engendrées dans le cadre du projet, notamment entre Valeo, Nexter, Apojee, APSI3D et Zodiac Aero Electric, avec le support d’un laboratoire (GREMAN-Université de Tours). Le projet WInSiC4AP permettra d’étendre et d’adapter les plateformes technologiques existantes SiC MOSFETS et Diodes pour les marchés de l’automobile et du rail, de l’avion électrique et de la défense, en ajustant les roadmaps aux besoins des partenaires (évolution des tensions de 1200V vers 1700V notamment) et en visant à réduire la consommation énergétique, l’encombrement et le poids des systèmes ainsi que l’amélioration de leur fiabilité au travers de nouveaux concepts architecturaux des systèmes, de technologie de packaging de puissance et de composants SiC optimisés.

Laboratoire :

UMR 7347 Groupe de Recherche en matériaux, Microélectronique, Acoustique et Nanotechnologies – GREMAN

Porteur du projet : Jean-François MICHAUD

Durée :

36 mois

Programme :

ECSEL Research and Innovation Action (RIA)

Budget global / Subvention de la Commission Européenne :

Budget global de 15 013 599 € et 4 164 282 € de subvention de la Commission Européenne